Afbeelding vergelijkbaar
Afbeelding vergelijkbaar
Infineon Technologies IRFB4110PBF MOSFET 1 N-kanaal 370 W TO-220AB
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
TO-220AB
Uitvoering
N-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
370 W
R(DS)(on)
4.5 mΩ
Datasheet (PDF)
99 Stuk(s)
Nieuw
Alle facturen van derden komen nu rechtstreeks van Conrad.Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
1
-
€ 3,55
10
8% = € 0,27
€ 3,28
25
11% = € 0,38
€ 3,17
50
12% = € 0,44
€ 3,11
100
15% = € 0,53
€ 3,02
250
17% = € 0,62
€ 2,93
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Totaal (€ 3,55 / Stuk)
€ 3,55
excl. btw
& Inclusief 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
Unipolaire transistor (MOSFET)
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
IRFB4110PBF
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
TO-220AB
- Fabrikant
Infineon Technologies
INF
- Uitvoering
N-kanaal
- I(d)
120 A
- UBR DSS
100 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
370 W
- R(DS)(on)
4.5 mΩ
- R(DS)(on) referentiestroom
75 A
- R(DS)(on) referentiespanning
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
- Q(G)
210 nC
- Q(G) referentiespanning
10 V
- C(ISS)
9620 pF
- C(ISS) referentiespanning
50 V
- Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
- Montagewijze
Doorvoergat
- Serie
HEXFET®
- Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
- Bijzonderheden
Standaard
- U(DSS)
100 V
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 160932 Infineon Technologies IRFB4110PBF MOSFET 1 N-kanaal 370 W TO-220AB
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 160932 Infineon Technologies IRFB4110PBF MOSFET 1 N-kanaal 370 W TO-220AB