• Hét platform voor al uw techniek
  • Gratis inkoopoplossingen
  • Groot assortiment, één factuur
  • Retourrecht
Conrad

Infineon Technologies IRFS3306PBF-GURT MOSFET 1 N-kanaal 230 W D2PAK

EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
D2PAK
Uitvoering
N-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
230 W
R(DS)(on)
0.0042 Ω
Datasheet (PDF)
Leverbaar do. 22 okt.
342 Stuk(s)

Nieuw
Alle facturen van derden komen nu rechtstreeks van Conrad.
Verkoop door  Conrad ElectronicVerzending door  Erksononline1

Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
1
-
€ 12,00
2
15% = € 3,70
€ 10,15
5
21% = € 12,30
€ 9,54
10
29% = € 34,50
€ 8,55
20
36% = € 86,20
€ 7,69
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper

Aantal
Totaal (€ 12,00 / Stuk)
€ 12,00
Levering van goederen binnen overige EU landen (0% btw) excl. btw 
& 
excl. € 5,95 
prav.priceAvailability.ecoparticipation.cost ...
prav.priceAvailability.privatecopyingfee.cost ...
zonder verdere verzendkosten 

Incl. 14 dagen retourrecht

U heeft al het beste aanbod voor uw hoeveelheid.

Ons aanbod
Verkoop en verzending door  Conrad Electronic
Leverbaar ma. 26 okt.

1790 Stuk(s)

€ 5,95 Excl. verzendkosten
Excl. verzendkosten

€ 2,31 / Stuk(s)

excl. btw
Min.: 10Meervoud: 10

Highlights & Details

INFI SMD-vermogens-MOSFET's verhardt IRF_

Extra services en acties

Technische specificaties

Type

IRFS3306PBF-GURT

Soortnaam

MOSFET

Behuizingssoort

D2PAK

Fabrikant

Infineon Technologies

Uitvoering

N-kanaal

I(d)

120 A

UBR DSS

60 V

Vermogen (max.) P(TOT)

230 W

R(DS)(on)

0.0042 Ω

Montagewijze

Oppervlakmontage

Kanalen

1

Inhoud

1 stuk(s)

UKCA

Ja

Documenten en downloads

Datablad

Datablad 3026286 Infineon Technologies IRFS3306PBF-GURT MOSFET 1 N-kanaal 230 W D2PAK

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026286 Infineon Technologies IRFS3306PBF-GURT MOSFET 1 N-kanaal 230 W D2PAK

Omschrijving

Transistor: N-MOSFET; unipolair; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: N-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 60V
Drainstroom: 110A
Vermogensdissipatie: 230W
Behuizing: D2PAK
Montage: SMD
Soort kanaal: verrijkt
Weerstand in geleidingstoestand: 4,2mΩ
Gepulseerde drainstroom: 620A
Gate-source spanning: ±20V

Wat voor soort MOSFET's zoekt u?

Accessoires

(*Alle prijzen zijn excl. btw.)

De noodzakelijke accessoires zijn nodig om het artikel te gebruiken zoals beschreven

Vergelijkbare artikelen

(*Alle prijzen zijn excl. btw.)