INFINEON TECHNOLOGIES IRF5305PBF Transistor: P-MOSFET; unipolair; -55V; -31A; 110W; TO220AB - 1 stuk
Verpakkingswijze
Tube
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
TO-220
Uitvoering
P-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
110 W
Datasheet (PDF)
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Totaal (€ 12,44 / Stuk)
€ 12,44
incl. btw
& Gratis verzending*
Alleen beschikbaar voor zakelijke klanten
Incl. 14 dagen retourrecht
Technische specificaties
Tube
- Type
-55V Transistor: P-MOSFET unipolar 110W -31A TO220AB
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
TO-220
- Fabrikant
Infineon Technologies
INF
- Uitvoering
P-kanaal
- I(d)
-31 A
- Vermogen (max.) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
0.06 Ω
- R(DS)(on) referentiestroom
-31 A
- U(GS)(th) max.
20 V
- C(ISS)
1200 pF
- Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
- Montagewijze
Doorsteekmontage
- Bedrijfstemperatuur (max.)
175 °C
- U(DSS)
-55 V
- Conform RoHS
Ja
- Inhoud
1 stuk(s)
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 846987048 INFINEON TECHNOLOGIES IRF5305PBF Transistor: P-MOSFET; unipolair; -55V; -31A; 110W; TO220AB - 1 stuk
Omschrijving
Transistor: P-MOSFET; unipolair; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: P-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: -55V
Drainstroom: -31A
Vermogensdissipatie: 110W
Behuizing: TO220AB
Montage: THT
Soort verpakking: buis
Soort kanaal: verrijkt
Weerstand in geleidingstoestand: 60mΩ
Lading op de poort: 42nC
Gate-source spanning: ±20V
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: P-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: -55V
Drainstroom: -31A
Vermogensdissipatie: 110W
Behuizing: TO220AB
Montage: THT
Soort verpakking: buis
Soort kanaal: verrijkt
Weerstand in geleidingstoestand: 60mΩ
Lading op de poort: 42nC
Gate-source spanning: ±20V
Wat voor soort MOSFET's zoekt u?
Accessoires
(*Alle prijzen zijn excl. btw.)De noodzakelijke accessoires zijn nodig om het artikel te gebruiken zoals beschreven
Verzending door Conrad Electronic
€ 0,67*