• Hét platform voor al uw techniek
  • Gratis inkoopoplossingen
  • Groot assortiment, één factuur
  • Retourrecht
Conrad

Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-kanaal 1.8 W SOT-223

EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
SOT-223
Uitvoering
N-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
1.8 W
R(DS)(on)
3.5 Ω
Datasheet (PDF)
Leverbaar do. 22 okt.
65 Stuk(s)

Nieuw
Alle facturen van derden komen nu rechtstreeks van Conrad.
Verkoop door  Conrad ElectronicVerzending door  Erksononline1

Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
1
-
€ 10,28
2
18% = € 3,70
€ 8,43
5
24% = € 12,30
€ 7,82
10
34% = € 34,50
€ 6,83
20
42% = € 86,20
€ 5,97
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper

Aantal
Totaal (€ 10,28 / Stuk)
€ 10,28
Levering van goederen binnen overige EU landen (0% btw) excl. btw 
& 
excl. € 5,95 
prav.priceAvailability.ecoparticipation.cost ...
prav.priceAvailability.privatecopyingfee.cost ...
zonder verdere verzendkosten 

Incl. 14 dagen retourrecht

U heeft al het beste aanbod voor uw hoeveelheid.

Ons aanbod
Verkoop en verzending door  Conrad Electronic
Leverbaar wo. 21 okt.

25 Stuk(s)

€ 5,95 Excl. verzendkosten
Excl. verzendkosten

€ 1,89 / Stuk(s)

excl. btw
Min.: 5Meervoud: 1

Highlights & Details

INFINEON SMD-vermogensMOSFET's BSP_ SOT2

Extra services en acties

Technische specificaties

Type

BSP149

Soortnaam

MOSFET

Behuizingssoort

SOT-223

Fabrikant

Infineon Technologies

Uitvoering

N-kanaal

I(d)

0.66 A

UBR DSS

200 V

Vermogen (max.) P(TOT)

1.8 W

R(DS)(on)

3.5 Ω

Montagewijze

Oppervlakmontage

Kanalen

1

Inhoud

1 stuk(s)

UKCA

Ja

Documenten en downloads

Datablad

Datablad 3026207 Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-kanaal 1.8 W SOT-223

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026207 Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-kanaal 1.8 W SOT-223

Omschrijving

Transistor: N-MOSFET; unipolair; 200V; 0,53A; Idm: 2,6A; 1,8W
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gepulseerde drainstroom: 2,6A
Vermogensdissipatie: 1,8W
Polarisatie: unipolair
Technologie: SIPMOS™
Drainstroom: 0,53A
Soort kanaal: verarmd
Spanning dren-bron: 200V
Type transistor: N-MOSFET
Gate-source spanning: ±20V
Behuizing: SOT223
Weerstand in geleidingstoestand: 3,5Ω

Wat voor soort MOSFET's zoekt u?

Accessoires

(*Alle prijzen zijn excl. btw.)

De noodzakelijke accessoires zijn nodig om het artikel te gebruiken zoals beschreven

Vergelijkbare artikelen

(*Alle prijzen zijn excl. btw.)