Name: STMicroelectronics STGP10NC60KD IGBT TO-220 600 V Tube
Brand: STMicroelectronics
SKU: 3028026
Availability: InStock

'TO-220-behuizing van een VNP35N MOSFET-transistor met drie aansluitpinnen.'

Afbeelding vergelijkbaar

Verpakkingswijze

Tube

Soortnaam

IGBT

Behuizingssoort

TO-220

Collectorstroom I(C)

20 A

Montagewijze

Doorvoergat

Datasheet (PDF)

Leverbaar do. 22 okt.

441 Stuk(s)

Nieuw

Alle facturen van derden komen nu rechtstreeks van Conrad.

Verkoop door Conrad ElectronicVerzending door Erksononline1

Aantal (Stuk(s))

Besparing

Verpakkingsprijs (excl. btw)

Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper

Besparing € 0,00

Aantal

Stuk(s)

Totaal (€ 11,14 / Stuk)

€ 11,14

excl. btw

€ 5,95

Incl. 14 dagen retourrecht

U heeft al het beste aanbod voor uw hoeveelheid.

Ons aanbod

Verkoop en verzending door Conrad Electronic

Leverbaar wo. 21 okt.

78 Stuk(s)

€ 5,95 Excl. verzendkosten

Excl. verzendkosten

€ 2,72

€ 1,89 / Stuk(s)

excl. btw

Min.: 10Meervoud: 10

Juridisch probleem melden

Highlights & Details

STM IGBTs met FRED STGF_, STGP_ TO220_

Extra services en acties

Technische specificaties

: Tube

Type: STGP10NC60KD

Soortnaam: IGBT

Behuizingssoort: TO-220

Fabrikant: STMicroelectronics

Minimale doorlaatspanning U(CES): 600 V

Collectorstroom I(C): 20 A

Inschakelvertragingstijd t(d)(on): 17 ns

Uitschakelvertragingstijd t(d)(off)(2): 72 ns

Montagewijze: Doorvoergat

UKCA: Ja

Documenten en downloads

Datablad

Datablad 3028026 STMicroelectronics STGP10NC60KD IGBT TO-220 600 V Tube

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3028026 STMicroelectronics STGP10NC60KD IGBT TO-220 600 V Tube

Omschrijving

Transistor: IGBT; 600V; 10A; 65W; TO220AB
Producent: STMicroelectronics
Type transistor: IGBT
Collector-emitterspanning: 600V
Stroom van de collector: 10A
Vermogensdissipatie: 65W
Behuizing: TO220AB
Spanning poort - verzender: ±20V
Stroom van collector in impuls: 30A
Montage: THT
Lading op de poort: 19nC
Soort verpakking: buis
Eigenschappen van elementen van halfgeleiders: integrated anti-parallel diode