Name: Infineon Technologies IRF7416PBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 2.5 W SO-8
Brand: Infineon Technologies
SKU: 3026251
Availability: InStock

Infineon Technologies IRF7416PBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 2.5 W SO-8-0

Soortnaam

MOSFET

Behuizingssoort

SO-8

Uitvoering

P-kanaal

Vermogen (max.) P(TOT)

2.5 W

R(DS)(on)

0.02 Ω

Datasheet (PDF)

Morgen leverbaar

17 Stuk(s)

Nieuw

Alle facturen van derden komen nu rechtstreeks van Conrad.

Verkoop en verzending door Conrad Electronic

Aantal (Stuk(s))

Besparing

Verpakkingsprijs (excl. btw)

Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper

Besparing € 0,00

Aantal

Stuk(s)

Totaal (€ 1,1774 / Stuk)

€ 1,18

excl. btw

Gratis verzending met

Incl. 14 dagen retourrecht (30 dagen met)

U heeft al het beste aanbod voor uw hoeveelheid.

De optimale selectie voor de ingevoerde hoeveelheid wordt automatisch berekend, inclusief prijs (excl. verzendkosten) en levertijd.

Juridisch probleem melden

Highlights & Details

INFI SMD-vermogens-MOSFET's verhardt IRF_

Extra services en acties

Technische specificaties

Type: IRF7416PBF-GURT

Soortnaam: MOSFET

Behuizingssoort: SO-8

Fabrikant: Infineon Technologies

Uitvoering: P-kanaal

I(d): -10 A

UBR DSS: -30 V

Vermogen (max.) P(TOT): 2.5 W

R(DS)(on): 0.02 Ω

Montagewijze: Oppervlakmontage

Kanalen: 1

Inhoud: 1 stuk(s)

UKCA: Ja

Documenten en downloads

Datablad

Datablad 3026251 Infineon Technologies IRF7416PBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 2.5 W SO-8

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026251 Infineon Technologies IRF7416PBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 2.5 W SO-8

Omschrijving

Transistor: P-MOSFET; unipolair; -30V; -10A; 2,5W; SO8
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: P-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: -30V
Drainstroom: -10A
Vermogensdissipatie: 2,5W
Behuizing: SO8
Montage: SMD
Soort verpakking: rol
Soort kanaal: verrijkt