Afbeelding vergelijkbaar
Afbeelding vergelijkbaar
Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 P-kanaal 3.8 W TO-263-3
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
TO-263-3
Uitvoering
P-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
3.8 W
R(DS)(on)
60 mΩ
Datasheet (PDF)
605 Stuk(s)
Nieuw
Alle facturen van derden komen nu rechtstreeks van Conrad.Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
1
-
€ 1,89
10
7% = € 0,14
€ 1,75
25
11% = € 0,20
€ 1,69
50
13% = € 0,24
€ 1,65
100
15% = € 0,28
€ 1,61
250
17% = € 0,32
€ 1,57
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Totaal (€ 1,89 / Stuk)
€ 1,89
excl. btw
& Inclusief 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
Power MOSFET, P-Channel
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
IRF5305
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
TO-263-3
- Fabrikant
Infineon Technologies
INF
- Uitvoering
P-kanaal
- I(d)
31 A
- UBR DSS
55 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
3.8 W
- R(DS)(on)
60 mΩ
- R(DS)(on) referentiestroom
16 A
- R(DS)(on) referentiespanning
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
- Q(G)
63 nC
- Q(G) referentiespanning
10 V
- C(ISS)
1200 pF
- C(ISS) referentiespanning
25 V
- Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
- Montagewijze
Oppervlakmontage
- Serie
HEXFET®
- Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
- Bijzonderheden
Standaard
- U(DSS)
55 V
- Kanalen
1
- Conform RoHS
Ja
- Inhoud
1 stuk(s)
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 162408 Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 P-kanaal 3.8 W TO-263-3
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 162408 Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 P-kanaal 3.8 W TO-263-3