Afbeelding vergelijkbaar
Afbeelding vergelijkbaar
Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT MOSFET 2 N-kanaal 2.0 W SO-8
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
SO-8
Uitvoering
N-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.2 Ω
Datasheet (PDF)
2795 Stuk(s)
Nieuw
Alle facturen van derden komen nu rechtstreeks van Conrad.Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
1
-
€ 9,66
2
19% = € 1,84
€ 7,82
5
25% = € 2,46
€ 7,20
10
36% = € 3,44
€ 6,22
20
45% = € 4,31
€ 5,35
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Totaal (€ 9,66 / Stuk)
€ 9,66
excl. btw
& Incl. 14 dagen retourrecht
U heeft al het beste aanbod voor uw hoeveelheid.
Ons aanbod
€ 0,93162 / Stuk(s)
excl. btw
Min.: 5Meervoud: 1
Highlights & Details
MOSFET
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
IRF7103PBF-GURT
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
SO-8
- Fabrikant
Infineon Technologies
- Uitvoering
N-kanaal
- Vermogen (max.) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.2 Ω
- Montagewijze
Oppervlakmontage
- Kanalen
2
- Inhoud
1 stuk(s)
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 3026234 Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT MOSFET 2 N-kanaal 2.0 W SO-8
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026234 Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT MOSFET 2 N-kanaal 2.0 W SO-8
Omschrijving
Transistor: N-MOSFET x2; unipolair; 50V; 3A; 2W; SO8
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: N-MOSFET x2
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 50V
Drainstroom: 3A
Vermogensdissipatie: 2W
Behuizing: SO8
Montage: SMD
Soort verpakking: rol
Soort kanaal: verrijkt
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: N-MOSFET x2
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 50V
Drainstroom: 3A
Vermogensdissipatie: 2W
Behuizing: SO8
Montage: SMD
Soort verpakking: rol
Soort kanaal: verrijkt