Name: STMicroelectronics STE53NC50 MOSFET 1 N-kanaal 460 W SOT-227B
Brand: STMicroelectronics
SKU: 3026586
Availability: InStock

Metalen component met vier schroefgaten links en vier afzonderlijke schroeven rechts. Elektronisch onderdeel voor bevestiging.

Afbeelding vergelijkbaar

Soortnaam

MOSFET

Behuizingssoort

SOT-227B

Uitvoering

N-kanaal

Vermogen (max.) P(TOT)

460 W

R(DS)(on)

0.08 Ω

Datasheet (PDF)

Leverbaar do. 15 okt.

7 Stuk(s)

Nieuw

Alle facturen van derden komen nu rechtstreeks van Conrad.

Verkoop en verzending door Conrad Electronic

Aantal (Stuk(s))

Besparing

Verpakkingsprijs (excl. btw)

Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper

Besparing € 0,00

Aantal

Stuk(s)

Totaal (€ 29,74 / Stuk)

€ 29,74

excl. btw

Slechts 7 Stuk(s) beschikbaar

Gratis verzending met

Incl. 14 dagen retourrecht (30 dagen met)

U heeft al het beste aanbod voor uw hoeveelheid.

De optimale selectie voor de ingevoerde hoeveelheid wordt automatisch berekend, inclusief prijs (excl. verzendkosten) en levertijd.

Juridisch probleem melden

Highlights & Details

MOSFET

Extra services en acties

Technische specificaties

Type: STE53NC50

Soortnaam: MOSFET

Behuizingssoort: SOT-227B

Fabrikant: STMicroelectronics

Uitvoering: N-kanaal

I(d): 53 A

UBR DSS: 500 V

Vermogen (max.) P(TOT): 460 W

R(DS)(on): 0.08 Ω

Montagewijze: Chassis

Kanalen: 1

Inhoud: 1 stuk(s)

UKCA: Ja

Documenten en downloads

Datablad

Datablad 3026586 STMicroelectronics STE53NC50 MOSFET 1 N-kanaal 460 W SOT-227B

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026586 STMicroelectronics STE53NC50 MOSFET 1 N-kanaal 460 W SOT-227B

Omschrijving

Module; enkele transistor; 500V; 33A; ISOTOP; geschroefd; Idm: 212A
Producent: STMicroelectronics
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 500V
Drainstroom: 33A
Gepulseerde drainstroom: 212A
Vermogensdissipatie: 460W
Behuizing: ISOTOP
Gate-source spanning: ±30V
Weerstand in geleidingstoestand: 70mΩ
Soort verpakking: buis
Type halfgeleidermodule: MOSFET transistor
Technologie: MDmesh™, MESH OVERLAY™, PowerMesh™
Mechanische montage: geschroefd
Elektrische montage: geschroefd
Structuur van semiconductor: enkele transistor