Name: Infineon Technologies IRFR5410PBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 66 W TO-252AA
Brand: Infineon Technologies
SKU: 3026279
Availability: InStock

Infineon Technologies IRFR5410PBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 66 W TO-252AA-0

Soortnaam

MOSFET

Behuizingssoort

TO-252AA

Uitvoering

P-kanaal

Vermogen (max.) P(TOT)

66 W

R(DS)(on)

0.205 Ω

Datasheet (PDF)

Leverbaar di. 13 okt.

3007 Stuk(s)

Nieuw

Alle facturen van derden komen nu rechtstreeks van Conrad.

Verkoop door Conrad ElectronicVerzending door Erksononline1

Aantal (Stuk(s))

Besparing

Verpakkingsprijs (excl. btw)

Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper

Besparing € 0,00

Aantal

Stuk(s)

Totaal (€ 10,15 / Stuk)

€ 10,15

excl. btw

€ 5,95

Incl. 14 dagen retourrecht

U heeft al het beste aanbod voor uw hoeveelheid.

Ons aanbod

Verkoop en verzending door Conrad Electronic

Leverbaar do. 15 okt.

3650 Stuk(s)

€ 5,95 Excl. verzendkosten

Excl. verzendkosten

€ 0,97408 / Stuk(s)

excl. btw

Min.: 50Meervoud: 50

Juridisch probleem melden

Highlights & Details

MOSFET

Extra services en acties

Technische specificaties

Type: IRFR5410PBF-GURT

Soortnaam: MOSFET

Behuizingssoort: TO-252AA

Fabrikant: Infineon Technologies

Uitvoering: P-kanaal

I(d): -13 A

UBR DSS: -100 V

Vermogen (max.) P(TOT): 66 W

R(DS)(on): 0.205 Ω

Montagewijze: Doorvoergat

Kanalen: 1

Inhoud: 1 stuk(s)

UKCA: Ja

Documenten en downloads

Datablad

Datablad 3026279 Infineon Technologies IRFR5410PBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 66 W TO-252AA

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026279 Infineon Technologies IRFR5410PBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 66 W TO-252AA

Omschrijving

Transistor: P-MOSFET; unipolair; -100V; -13A; 66W; DPAK
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: P-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: -100V
Drainstroom: -13A
Vermogensdissipatie: 66W
Behuizing: DPAK
Montage: SMD
Soort verpakking: rol
Soort kanaal: verrijkt