Name: Infineon Technologies IRF9530NSPBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 79 W D2PAK
Brand: Infineon Technologies
SKU: 3026260
Availability: InStock

Infineon Technologies IRF9530NSPBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 79 W D2PAK-0

Soortnaam

MOSFET

Behuizingssoort

D2PAK

Uitvoering

P-kanaal

Vermogen (max.) P(TOT)

79 W

R(DS)(on)

0.2 Ω

Datasheet (PDF)

Morgen leverbaar

25 Stuk(s)

Nieuw

Alle facturen van derden komen nu rechtstreeks van Conrad.

Verkoop en verzending door Conrad Electronic

Aantal (Stuk(s))

Besparing

Verpakkingsprijs (excl. btw)

Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper

Besparing € 0,00

Aantal

Stuk(s)

Totaal (€ 1,89 / Stuk)

€ 1,89

excl. btw

Gratis verzending met

Incl. 14 dagen retourrecht (30 dagen met)

U heeft al het beste aanbod voor uw hoeveelheid.

De optimale selectie voor de ingevoerde hoeveelheid wordt automatisch berekend, inclusief prijs (excl. verzendkosten) en levertijd.

Juridisch probleem melden

Highlights & Details

INFI SMD-vermogens-MOSFET's verhardt IRF_

Extra services en acties

Technische specificaties

Type: IRF9530NSPBF-GURT

Soortnaam: MOSFET

Behuizingssoort: D2PAK

Fabrikant: Infineon Technologies

Uitvoering: P-kanaal

I(d): -14 A

UBR DSS: -100 V

Vermogen (max.) P(TOT): 79 W

R(DS)(on): 0.2 Ω

Montagewijze: Oppervlakmontage

Kanalen: 1

Inhoud: 1 stuk(s)

UKCA: Ja

Documenten en downloads

Datablad

Datablad 3026260 Infineon Technologies IRF9530NSPBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 79 W D2PAK

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026260 Infineon Technologies IRF9530NSPBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 79 W D2PAK

Omschrijving

Transistor: P-MOSFET; unipolair; -100V; -14A; 3,8W; D2PAK
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: P-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: -100V
Drainstroom: -14A
Vermogensdissipatie: 3,8W
Behuizing: D2PAK
Montage: SMD
Soort verpakking: rol
Soort kanaal: verrijkt