Name: Infineon Technologies IRF7316PBF-GURT MOSFET 2 P-kanaal 2.0 W SO-8
Brand: Infineon Technologies
SKU: 3026242
Availability: InStock

Infineon Technologies IRF7316PBF-GURT MOSFET 2 P-kanaal 2.0 W SO-8-0

Soortnaam

MOSFET

Behuizingssoort

SO-8

Uitvoering

P-kanaal

Vermogen (max.) P(TOT)

2.0 W

R(DS)(on)

0.098 Ω

Datasheet (PDF)

Morgen leverbaar

1 Stuk(s)

Nieuw

Alle facturen van derden komen nu rechtstreeks van Conrad.

Verkoop en verzending door Conrad Electronic

Aantal (Stuk(s))

Besparing

Verpakkingsprijs (excl. btw)

Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper

Besparing € 0,00

Aantal

Stuk(s)

Totaal (€ 1,11681 / Stuk)

€ 1,12

excl. btw

Slechts 1 Stuk(s) beschikbaar

Gratis verzending met

Incl. 14 dagen retourrecht (30 dagen met)

U heeft al het beste aanbod voor uw hoeveelheid.

De optimale selectie voor de ingevoerde hoeveelheid wordt automatisch berekend, inclusief prijs (excl. verzendkosten) en levertijd.

Juridisch probleem melden

Highlights & Details

MOSFET

Extra services en acties

Technische specificaties

Type: IRF7316PBF-GURT

Soortnaam: MOSFET

Behuizingssoort: SO-8

Fabrikant: Infineon Technologies

Uitvoering: P-kanaal

Vermogen (max.) P(TOT): 2.0 W

R(DS)(on): 0.098 Ω

Montagewijze: Oppervlakmontage

Kanalen: 2

Inhoud: 1 stuk(s)

UKCA: Ja

Documenten en downloads

Datablad

Datablad 3026242 Infineon Technologies IRF7316PBF-GURT MOSFET 2 P-kanaal 2.0 W SO-8

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026242 Infineon Technologies IRF7316PBF-GURT MOSFET 2 P-kanaal 2.0 W SO-8

Omschrijving

Transistor: P-MOSFET x2; unipolair; -30V; -4,9A; 2W; SO8
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: P-MOSFET x2
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: -30V
Drainstroom: -4,9A
Vermogensdissipatie: 2W
Behuizing: SO8
Montage: SMD
Soort verpakking: rol
Soort kanaal: verrijkt