Name: Infineon Technologies IRF7313PBF-GURT MOSFET 2 N-kanaal 2.0 W SO-8
Brand: Infineon Technologies
SKU: 3026240
Availability: InStock

Infineon Technologies IRF7313PBF-GURT MOSFET 2 N-kanaal 2.0 W SO-8-0

Soortnaam

MOSFET

Behuizingssoort

SO-8

Uitvoering

N-kanaal

Vermogen (max.) P(TOT)

2.0 W

R(DS)(on)

0.046 Ω

Datasheet (PDF)

Leverbaar di. 13 okt.

3306 Stuk(s)

Nieuw

Alle facturen van derden komen nu rechtstreeks van Conrad.

Verkoop door Conrad ElectronicVerzending door Erksononline1

Aantal (Stuk(s))

Besparing

Verpakkingsprijs (excl. btw)

Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper

Besparing € 0,00

Aantal

Stuk(s)

Totaal (€ 9,79 / Stuk)

€ 9,79

excl. btw

€ 5,95

Incl. 14 dagen retourrecht

U heeft al het beste aanbod voor uw hoeveelheid.

Ons aanbod

Verkoop en verzending door Conrad Electronic

Leverbaar ma. 12 okt.

39 Stuk(s)

€ 5,95 Excl. verzendkosten

Excl. verzendkosten

€ 0,66278 / Stuk(s)

excl. btw

Min.: 3Meervoud: 1

Juridisch probleem melden

Highlights & Details

INFI SMD-vermogens-MOSFET's verhardt IRF_

Extra services en acties

Technische specificaties

Type: IRF7313PBF-GURT

Soortnaam: MOSFET

Behuizingssoort: SO-8

Fabrikant: Infineon Technologies

Uitvoering: N-kanaal

Vermogen (max.) P(TOT): 2.0 W

R(DS)(on): 0.046 Ω

Montagewijze: Oppervlakmontage

Kanalen: 2

Inhoud: 1 stuk(s)

UKCA: Ja

Documenten en downloads

Datablad

Datablad 3026240 Infineon Technologies IRF7313PBF-GURT MOSFET 2 N-kanaal 2.0 W SO-8

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026240 Infineon Technologies IRF7313PBF-GURT MOSFET 2 N-kanaal 2.0 W SO-8

Omschrijving

Transistor: N-MOSFET x2; unipolair; 30V; 6,5A; 2W; SO8
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: N-MOSFET x2
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 30V
Drainstroom: 6,5A
Vermogensdissipatie: 2W
Behuizing: SO8
Montage: SMD
Soort verpakking: rol
Soort kanaal: verrijkt