Name: Infineon Technologies IRF5210SPBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 170 W D2PAK
Brand: Infineon Technologies
SKU: 3026228
Availability: InStock

Infineon Technologies IRF5210SPBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 170 W D2PAK-0

Soortnaam

MOSFET

Behuizingssoort

D2PAK

Uitvoering

P-kanaal

Vermogen (max.) P(TOT)

170 W

R(DS)(on)

0.06 Ω

Datasheet (PDF)

Leverbaar di. 13 okt.

251 Stuk(s)

Nieuw

Alle facturen van derden komen nu rechtstreeks van Conrad.

Verkoop door Conrad ElectronicVerzending door Erksononline1

Aantal (Stuk(s))

Besparing

Verpakkingsprijs (excl. btw)

Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper

Besparing € 0,00

Aantal

Stuk(s)

Totaal (€ 11,75 / Stuk)

€ 11,75

excl. btw

€ 5,95

Incl. 14 dagen retourrecht

U heeft al het beste aanbod voor uw hoeveelheid.

Ons aanbod

Verkoop en verzending door Conrad Electronic

Morgen leverbaar

10 Stuk(s)

€ 5,95 Excl. verzendkosten

Excl. verzendkosten

€ 2,88 / Stuk(s)

excl. btw

Min.: 10Meervoud: 1

Juridisch probleem melden

Highlights & Details

INFI SMD-vermogens-MOSFET's verhardt IRF_

Extra services en acties

Technische specificaties

Type: IRF5210SPBF-GURT

Soortnaam: MOSFET

Behuizingssoort: D2PAK

Fabrikant: Infineon Technologies

Uitvoering: P-kanaal

I(d): -38 A

UBR DSS: -100 V

Vermogen (max.) P(TOT): 170 W

R(DS)(on): 0.06 Ω

Montagewijze: Oppervlakmontage

Kanalen: 1

Inhoud: 1 stuk(s)

UKCA: Ja

Documenten en downloads

Datablad

Datablad 3026228 Infineon Technologies IRF5210SPBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 170 W D2PAK

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026228 Infineon Technologies IRF5210SPBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 170 W D2PAK

Omschrijving

Transistor: P-MOSFET; unipolair; -100V; -40A; 3,8W; D2PAK
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: P-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: -100V
Drainstroom: -40A
Vermogensdissipatie: 3,8W
Behuizing: D2PAK
Montage: SMD
Soort verpakking: rol
Soort kanaal: verrijkt