Name: Diotec DI110N04PQ-AQ MOSFET N-kanaal 45 W PowerQFN 5x6
Brand: Diotec
SKU: 2809610
Availability: InStock

Een zwarte microchip met het opschrift 'Power QFN'. De voor- en achterkant zijn weergegeven, waarbij de belangrijkste contactpunten zichtbaar zijn.

Afbeelding vergelijkbaar

Soortnaam

MOSFET

Behuizingssoort

PowerQFN 5x6

Uitvoering

N-kanaal

Vermogen (max.) P(TOT)

45 W

R(DS)(on) referentiestroom

23 A

Datasheet (PDF)

Leverbaar di. 13 okt.

4946 Stuk(s) (Zolang de voorraad strekt)

Nieuw

Alle facturen van derden komen nu rechtstreeks van Conrad.

Verkoop en verzending door Conrad Electronic

Aantal

Stuk(s)

Totaal (€ 0,35 / Stuk)

€ 0,35

excl. btw

Gratis verzending met

Incl. 14 dagen retourrecht (30 dagen met)

U heeft al het beste aanbod voor uw hoeveelheid.

De optimale selectie voor de ingevoerde hoeveelheid wordt automatisch berekend, inclusief prijs (excl. verzendkosten) en levertijd.

Juridisch probleem melden

Highlights & Details

MOSFET

Extra services en acties

Technische specificaties

Type: DI110N04PQ-AQ

Soortnaam: MOSFET

Behuizingssoort: PowerQFN 5x6

Fabrikant: Diotec

: DIO

Uitvoering: N-kanaal

I(d): 110 A

UBR DSS: 40 V

Vermogen (max.) P(TOT): 45 W

R(DS)(on) referentiestroom: 23 A

R(DS)(on) referentiespanning: 10 V

U(GS)(th) max.: 1.7 V

Montagewijze: Oppervlakmontage

Bedrijfstemperatuur (max.): 150 °C

U(DSS): 40 V

Conform RoHS: Ja

Inhoud: 1 stuk(s)

UKCA: Ja

Documenten en downloads

Datablad

Datablad 2809610 Diotec DI110N04PQ-AQ MOSFET N-kanaal 45 W PowerQFN 5x6

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 2809610 Diotec DI110N04PQ-AQ MOSFET N-kanaal 45 W PowerQFN 5x6

Omschrijving

Transistor: N-MOSFET; unipolair; 40V; 110A; Idm: 400A; 42W; QFN5x6
Producent: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Behuizing: QFN5x6
Montage: SMD
Soort verpakking: band, rol
Gepulseerde drainstroom: 400A
Vermogensdissipatie: 42W
Lading op de poort: 59nC
Polarisatie: unipolair
Drainstroom: 110A
Soort kanaal: verrijkt
Spanning dren-bron: 40V
Toepassing: automotive industrie
Type transistor: N-MOSFET
Gate-source spanning: ±20V
Weerstand in geleidingstoestand: 2,9mΩ