Name: Infineon Technologies IKW75N60TFKSA1 IGBT TO-247 600 V Tube
Brand: Infineon Technologies
SKU: 3027200
Availability: BackOrder

Een zwart elektrisch onderdeel met drie metalen aansluitingen en een opschrift 'G4PC40UD' op het oppervlak; cruciaal voor elektronische schakelingen.

Afbeelding vergelijkbaar

Verpakkingswijze

Tube

Soortnaam

IGBT

Behuizingssoort

TO-247

Collectorstroom I(C)

80 A

Montagewijze

Doorvoergat

Datasheet (PDF)

Onbekende levertijd

Nieuw

Alle facturen van derden komen nu rechtstreeks van Conrad.

Verkoop en verzending door Conrad Electronic

Aantal (Stuk(s))

Besparing

Verpakkingsprijs (excl. btw)

Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper

Besparing € 0,00

Aantal

Stuk(s)

Min.: 5

Meervoud: 5

Totaal (€ 10,74 / Stuk)

€ 53,70

excl. btw

Gratis verzending met

Incl. 14 dagen retourrecht (30 dagen met)

Juridisch probleem melden

Highlights & Details

INFI IGBTS MET FRED IKW_, IRG4P_D_, IRG7

Extra services en acties

Technische specificaties

(UGE(th)) Gate emitter drempelspanning: 4,9 V
(ICpuls) gepulste collector-stroom: 225 A

: Tube

Type: IKW75N60TFKSA1

Soortnaam: IGBT

Behuizingssoort: TO-247

Fabrikant: Infineon Technologies

Minimale doorlaatspanning U(CES): 600 V

Collectorstroom I(C): 80 A

Inschakelvertragingstijd t(d)(on): 33 ns

Uitschakelvertragingstijd t(d)(off)(2): 330 ns

Montagewijze: Doorvoergat

UKCA: Ja

Documenten en downloads

Datablad

Datablad 3027200 Infineon Technologies IKW75N60TFKSA1 IGBT TO-247 600 V Tube

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie

Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3027200 Infineon Technologies IKW75N60TFKSA1 IGBT TO-247 600 V Tube

Omschrijving

Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: IGBT
Technologie: TRENCHSTOP™
Collector-emitterspanning: 600V
Stroom van de collector: 75A
Vermogensdissipatie: 428W
Behuizing: TO247-3
Spanning poort - verzender: ±20V
Stroom van collector in impuls: 225A
Montage: THT
Lading op de poort: 470nC
Soort verpakking: buis
Aansluitingstijd: 69ns
Ontkoppelingstijd: 401ns
Eigenschappen van elementen van halfgeleiders: integrated anti-parallel diode