Afbeelding vergelijkbaar
Afbeelding vergelijkbaar
Infineon Technologies IRL2910PBF MOSFET 1 N-kanaal 200 W TO-220
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
TO-220
Uitvoering
N-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
26 mΩ
Datasheet (PDF)
Nieuw
Alle facturen van derden komen nu rechtstreeks van Conrad.Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
1
-
€ 2,47
10
7% = € 0,18
€ 2,29
25
11% = € 0,26
€ 2,21
50
12% = € 0,30
€ 2,17
100
15% = € 0,36
€ 2,11
250
17% = € 0,42
€ 2,05
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Totaal (€ 2,47 / Stuk)
€ 2,72
-9 %
€ 2,47
excl. btw
& Gratis verzending met
Incl. 14 dagen retourrecht (30 dagen met)
Highlights & Details
MOSFET
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
IRL2910PBF
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
TO-220
- Fabrikant
Infineon Technologies
INF
- Uitvoering
N-kanaal
- I(d)
55 A
- UBR DSS
100 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
26 mΩ
- R(DS)(on) referentiestroom
29 A
- R(DS)(on) referentiespanning
10 V
- U(GS)(th) max.
2 V
- U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
- Q(G)
140 nC
- Q(G) referentiespanning
5 V
- C(ISS)
3700 pF
- C(ISS) referentiespanning
25 V
- Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
- Montagewijze
Doorvoergat
- Serie
HEXFET®
- Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
- Bijzonderheden
Logic Level Gate
- U(DSS)
100 V
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
- Uitvoering
HEXFET
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 162767 Infineon Technologies IRL2910PBF MOSFET 1 N-kanaal 200 W TO-220
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 162767 Infineon Technologies IRL2910PBF MOSFET 1 N-kanaal 200 W TO-220