JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Unipolaire transistor (MOSFET) Infineon Technologies IRLB4030PBF N-kanaal Soort behuizing TO 220 I(D) 180 A U(DS) 100 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 161165 - 89
Fabrikantnummer: IRLB4030PBF |  EAN: 2050001542076
Afbeelding kan afwijken
€ 3,71
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Unipolaire transistor (MOSFET)

Productspecificaties

Type
IRLB4030PBF
Behuizingssoort
TO‑220AB
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
180 A
UBR DSS
100 V
Ptot
370 W
R(DS)(on)
4.3 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
110 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2.5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
130 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
11360 pF
C(ISS) referentiespanning
50 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRLB4030PBF
Behuizing
TO 220
ID
180 A
RDS(on)
4.3 mΩ
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
100 V

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, IRLB4030PBF, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet