JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Unipolaire transistor (MOSFET) Infineon Technologies IRLB3036PBF N-kanaal Soort behuizing TO 220 I(D) 370 A U(DS) 60 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 161163 - 89
Fabrikantnummer: IRLB3036PBF |  EAN: 2050001542052
Afbeelding kan afwijken
€ 3,74
U bespaart € 0,24
€ 3,50
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 10 weken

Unipolaire transistor (MOSFET)

Productspecificaties

Type
IRLB3036PBF
Behuizingssoort
TO‑220AB
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
195 A
UBR DSS
60 V
Ptot
380 W
R(DS)(on)
2.4 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
165 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2.5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
140 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
11210 pF
C(ISS) referentiespanning
50 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
60 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
60 V
Type
IRLB3036PBF
RDS(on)
2.4 mΩ
ID
370 A
Behuizing
TO 220

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, drain, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor, IRLB3036PBF