JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Power MOSFET, P-Channel Infineon Technologies P-kanaal I(D) -31 A U(DS) -55 V

Infineon Technologies
4 van de 5 door 1 .
  • 2016-12-05 T06:31:51.994-06:00
  • bvseo_lps, prod_bvrr, vn_prr_5.6
  • cp-1, bvpage1
  • co_hasreviews, tv_1, tr_1
  • loc_en_US, sid_162408, prod, sort_default
Bestnr.: 162408 - 89
Fabrikantnummer: IRF5305 |  EAN: 2050000041006
Afbeelding kan afwijken
€ 0,69
Je bespaart € 0,05
€ 0,64
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Power MOSFET, P-Channel

Productspecificaties

Type
IRF5305
Behuizingssoort
TO‑263‑3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
P‑kanaal
I(d)
31 A
UBR DSS
55 V
Ptot
3.8 W
R(DS)(on)
60 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
16 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
63 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
1200 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
55 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
ID
‑31 A
Beschrijving
‑55 V / ‑31 A
Uitvoering
P‑kanaal
UDS
‑55 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, IRF5305, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
4 van de 5 door irf 5305 De powermosfet wordt door mij in meerdere projecten ingezet. Lage Rds 0,06 ohm 22 december 2010
  • 2016-12-05 T06:31:51.994-06:00
  • bvseo_lps, prod_bvrr, vn_prr_5.6
  • cp-1, bvpage1
  • co_hasreviews, tv_1, tr_1
  • loc_en_US, sid_162408, prod, sort_default
1-1 van 1