JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Power MOSFET, N-kanaal Infineon Technologies HEXFET U(DS) 55 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162873 - 89
Fabrikantnummer: IRLZ34NPBF |  EAN: 2050000044755
Afbeelding kan afwijken
€ 0,86
U bespaart € 0,03
€ 0,83
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Power MOSFET, N-kanaal

Productspecificaties

Type
IRLZ34NPBF
Behuizingssoort
TO‑220
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
HEXFET
I(d)
30 A
UBR DSS
55 V
Ptot
68 W
R(DS)(on)
35 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
16 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
25 C
Q(G) referentiespanning
5 V
C(ISS)
880 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
55 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Uitvoering
HEXFET
UDS
55 V
Beschrijving
55 V/27 A

Download

Specificaties

Highlights & Details

Beschrijving

MOSFET-transistoren zijn spanninggestuurde componenten die rechtstreeks op bronnen met een hoge weerstand kunnen worden aangesloten. Zij zijn daardoor uitermate geschikt voor de toepassing als schakelaar of analoge versterker. Deze unipolaire transistoren zijn µC-, TTL- en CMOS-compatibel. 1 = RDS (on) / R bij IC (A) en UCE (V) ² = Merken: SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, drain, IRLZ34NPBF, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Vergelijkbare producten