Afbeelding vergelijkbaar
Afbeelding vergelijkbaar
STMicroelectronics STP60NF06L MOSFET 1 N-kanaal 110 W TO-220
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
TO-220
Uitvoering
N-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
0.014 Ω
Datasheet (PDF)
730 Stuk(s)
Nieuw
Alle facturen van derden komen nu rechtstreeks van Conrad.Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
10
-
€ 1,23
30
8% = € 0,10
€ 1,13
50
11% = € 0,14
€ 1,09
100
13% = € 0,16
€ 1,07
200
16% = € 0,20
€ 1,03
400
19% = € 0,23
€ 1,00
1000
21% = € 0,26
€ 0,97
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Min.: 10
Meervoud: 10
Totaal (€ 1,23 / Stuk)
€ 12,30
excl. btw
& Gratis verzending met
Incl. 14 dagen retourrecht (30 dagen met)
Highlights & Details
MOSFET
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
STP60NF06L
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
TO-220
- Fabrikant
STMicroelectronics
- Uitvoering
N-kanaal
- I(d)
60 A
- UBR DSS
60 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
0.014 Ω
- Montagewijze
Doorvoergat
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 3026614 STMicroelectronics STP60NF06L MOSFET 1 N-kanaal 110 W TO-220
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026614 STMicroelectronics STP60NF06L MOSFET 1 N-kanaal 110 W TO-220
Omschrijving
Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolair; 60V; 42A; 110W
Producent: STMicroelectronics
Type transistor: N-MOSFET
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 60V
Drainstroom: 42A
Vermogensdissipatie: 110W
Behuizing: TO220-3
Gate-source spanning: ±15V
Weerstand in geleidingstoestand: 14mΩ
Montage: THT
Soort verpakking: buis
Soort kanaal: verrijkt
Technologie: STripFET™ II
Producent: STMicroelectronics
Type transistor: N-MOSFET
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: 60V
Drainstroom: 42A
Vermogensdissipatie: 110W
Behuizing: TO220-3
Gate-source spanning: ±15V
Weerstand in geleidingstoestand: 14mΩ
Montage: THT
Soort verpakking: buis
Soort kanaal: verrijkt
Technologie: STripFET™ II