Afbeelding vergelijkbaar
Afbeelding vergelijkbaar
Infineon Technologies IRFB3307ZPBF MOSFET 1 N-kanaal 230 W TO-220AB
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
TO-220AB
Uitvoering
N-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
230 W
R(DS)(on)
5.8 mΩ
Datasheet (PDF)
85 Stuk(s)
Nieuw
Alle facturen van derden komen nu rechtstreeks van Conrad.Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
1
-
€ 2,72
10
8% = € 0,21
€ 2,51
25
10% = € 0,28
€ 2,44
50
13% = € 0,34
€ 2,38
100
15% = € 0,40
€ 2,32
250
17% = € 0,47
€ 2,25
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Totaal (€ 2,72 / Stuk)
€ 2,72
excl. btw
& Inclusief 14 dagen retourrecht
Highlights & Details
Unipolaire transistor (MOSFET)
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
IRFB3307ZPBF
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
TO-220AB
- Fabrikant
Infineon Technologies
INF
- Uitvoering
N-kanaal
- I(d)
120 A
- UBR DSS
75 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
230 W
- R(DS)(on)
5.8 mΩ
- R(DS)(on) referentiestroom
75 A
- R(DS)(on) referentiespanning
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) referentiestroom (max.)
150 µA
- Q(G)
110 nC
- Q(G) referentiespanning
10 V
- C(ISS)
4750 pF
- C(ISS) referentiespanning
50 V
- Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
- Montagewijze
Doorvoergat
- Serie
HEXFET®
- Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
- Bijzonderheden
Standaard
- U(DSS)
75 V
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 160927 Infineon Technologies IRFB3307ZPBF MOSFET 1 N-kanaal 230 W TO-220AB
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 160927 Infineon Technologies IRFB3307ZPBF MOSFET 1 N-kanaal 230 W TO-220AB