
Afbeelding vergelijkbaar
Afbeelding vergelijkbaar
Incl. 14 dagen retourrecht (30 dagen met)
IRF630N
MOSFET
TO-263-3
Infineon Technologies
INF
N-kanaal
9.3 A
200 V
82 W
300 mΩ
5.4 A
10 V
4 V
250 µA
35 nC
10 V
575 pF
25 V
-55 °C
Oppervlakmontage
HEXFET®
+175 °C
Standaard
200 V
1
1 stuk(s)
Datablad 162421 Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-kanaal 82 W TO-263-3
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 162421 Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-kanaal 82 W TO-263-3