Infineon Technologies IRF4905SPBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 170 W D2PAK
EAN:
Fabrikantnummer:
Artikelnummer:
Soortnaam
MOSFET
Behuizingssoort
D2PAK
Uitvoering
P-kanaal
Vermogen (max.) P(TOT)
170 W
R(DS)(on)
0.02 Ω
Datasheet (PDF)
4710 Stuk(s)
Nieuw
Alle facturen van derden komen nu rechtstreeks van Conrad.Aantal (Stuk(s))
Besparing
Verpakkingsprijs (excl. btw)
1
-
€ 12,00
2
15% = € 1,85
€ 10,15
5
21% = € 2,46
€ 9,54
10
29% = € 3,45
€ 8,55
20
36% = € 4,31
€ 7,69
Staffelprijzen zijn afhankelijk van de verkoper
Besparing € 0,00
Aantal
Totaal (€ 12,00 / Stuk)
€ 12,00
excl. btw
& Incl. 14 dagen retourrecht
U heeft al het beste aanbod voor uw hoeveelheid.
Ons aanbod
€ 4,12 / Stuk(s)
excl. btw
Min.: 10Meervoud: 1
Highlights & Details
INFI SMD-vermogens-MOSFET's verhardt IRF_
Extra services en acties
Technische specificaties
- Type
IRF4905SPBF-GURT
- Soortnaam
MOSFET
- Behuizingssoort
D2PAK
- Fabrikant
Infineon Technologies
- Uitvoering
P-kanaal
- I(d)
-42 A
- UBR DSS
-55 V
- Vermogen (max.) P(TOT)
170 W
- R(DS)(on)
0.02 Ω
- Montagewijze
Oppervlakmontage
- Kanalen
1
- Inhoud
1 stuk(s)
- UKCA
Ja
Documenten en downloads
Datablad
Datablad 3026227 Infineon Technologies IRF4905SPBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 170 W D2PAK
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie
Gebruiksaanwijzingen en veiligheidsinformatie 3026227 Infineon Technologies IRF4905SPBF-GURT MOSFET 1 P-kanaal 170 W D2PAK
Omschrijving
Transistor: P-MOSFET; unipolair; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: P-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: -55V
Drainstroom: -74A
Vermogensdissipatie: 200W
Behuizing: D2PAK
Montage: SMD
Soort verpakking: rol
Soort kanaal: verrijkt
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES
Type transistor: P-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisatie: unipolair
Spanning dren-bron: -55V
Drainstroom: -74A
Vermogensdissipatie: 200W
Behuizing: D2PAK
Montage: SMD
Soort verpakking: rol
Soort kanaal: verrijkt