JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Vishay SI2301CDS-T1-GE3 Soort behuizing SOT-23-3

Vishay
Bestnr.: 597293 - 89
Fabrikantnummer: SI2301CDS-T1-GE3 |  EAN: 2050003223591
Afbeelding kan afwijken
€ 1,01
Je bespaart € 0,48
€ 0,53
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
SI2301CDS‑T1‑GE3
Behuizingssoort
SOT‑23‑3
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
P‑kanaal
I(d)
3.1 A
UBR DSS
20 V
Ptot
1.6 W
R(DS)(on)
112 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
2.8 A
R(DS)(on) referentiespanning
4.5 V
U(GS)(th) max.
1 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
10 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
405 pF
C(ISS) referentiespanning
10 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
TrenchFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
20 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
SI2301CDS‑T1‑GE3
Behuizing
SOT‑23‑3

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Vishay, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, SI2301CDS-T1-GE3CT-ND, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, SI2301CDS-T1-GE3, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen