JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET tetrode Infineon Technologies BF999 N-kanaal Soort behuizing SOT-23 U(DS) 20 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 153042 - 89
Fabrikantnummer: BF999 |  EAN: 2050000020407
Afbeelding kan afwijken
€ 0,48
U bespaart € 0,22
€ 0,26
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET tetrode

Productspecificaties

Type
BF999
Behuizingssoort
TO‑236‑3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
30 mA
UBR DSS
20 V
Ptot
200 mW
U(GS)(th) max.
12 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
10 mA
C(ISS)
2.5 pF
C(ISS) referentiespanning
10 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
U(DSS)
20 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
20 V
Behuizing
SOT‑23
Type
BF999

Download

Specificaties

Beschrijving

MOSFET tetrode (8 mm gordel).
Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, drain, FET, BF999, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Accessoires voordelig meebestellen