JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies N-kanaal I(D) 110 A U(DS) 55 V

Infineon Technologies
MOSFET Infineon Technologies N-kanaal I(D) 110 A U(DS) 55 V is rated 4.3 out of 5 by 3.
  • y_2017, m_3, d_27, h_13
  • bvseo_bulk, prod_bvrr, vn_bulk_1.0.0
  • cp_1, bvpage1
  • co_hasreviews, tv_0, tr_3
  • loc_, sid_158712, prod, sort_[SortEntry(order=SUBMISSION_TIME, direction=DESCENDING), SortEntry(order=FEATURED, direction=DESCENDING), SortEntry(order=SUBMISSION_TIME, direction=DESCENDING)]
  • clientName_conrad-nl
Bestnr.: 158712 - 89
Fabrikantnummer: IRF3205 |  EAN: 2050000039195
Afbeelding kan afwijken
€ 0,69
U bespaart € 0,03
€ 0,66
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRF3205
Behuizingssoort
TO‑263‑3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
110 A
UBR DSS
55 V
Ptot
200 W
R(DS)(on)
8 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
62 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
146 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
3247 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
55 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
55 V
Beschrijving
55 V/110 A
ID
110 A

Download

Specificaties

Beschrijving

MOSFET-transistoren zijn spanninggestuurde componenten die rechtstreeks op bronnen met een hoge weerstand kunnen worden aangesloten. Zij zijn daardoor uitermate geschikt voor de toepassing als schakelaar of analoge versterker. Deze unipolaire transistoren zijn µC-, TTL- en CMOS-compatibel. 1 = RDS (on) / R bij IC (A) en UCE (V) ² = Merken: SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, IRF3205, source, Infineon Technologies, drain, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Rated 5 out of 5 by from Werkt goed Mosfet gebruikt om een 12 naar 220V omvormer te herstellen, na vervanging van de 8 mosfets doet hij het weer als nieuw.
Date published: 2014-10-01
Rated 3 out of 5 by from Carlo Nota: Zéér Belangrijk. Denk eraan dit component te koelen, d.m.v. een ijzeren, metaal,Aluminium, e.d.- plaat (eventueel met koelvinnen)
Date published: 2012-02-08
Rated 5 out of 5 by from Het werkt. Ik heb de IRF3205 gebruikt in een replicatie van een geclaimd-20x overunity circuit. Het werkt qua verhogen van voltage... http://peswiki.com/index.php?title=Rodin_star
Date published: 2011-07-26
  • y_2017, m_3, d_27, h_13
  • bvseo_bulk, prod_bvrr, vn_bulk_1.0.0
  • cp_1, bvpage1
  • co_hasreviews, tv_0, tr_3
  • loc_, sid_158712, prod, sort_[SortEntry(order=SUBMISSION_TIME, direction=DESCENDING), SortEntry(order=FEATURED, direction=DESCENDING), SortEntry(order=SUBMISSION_TIME, direction=DESCENDING)]
  • clientName_conrad-nl