JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRLU3110ZPBF Soort behuizing TO-251-3

Infineon Technologies
Bestnr.: 564201 - 89
Fabrikantnummer: IRLU3110ZPBF |  EAN: 2050003204811
Afbeelding kan afwijken
€ 3,09
Je bespaart € 0,14
€ 2,95
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 3 weken

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRLU3110ZPBF
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
UBR DSS
100 V
Ptot
140 W
R(DS)(on)
14 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
38 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2.5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
100 µA
Q(G)
48 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
3980 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRLU3110ZPBF
Behuizing
TO‑251‑3

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, IRLU3110ZPBF-ND, FET, gate, unipoliare transistor, source, IRLU3110ZPBF, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen