JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFD 014 N-kanaal Soort behuizing HD-1 I(D) 1.7 A U(DS) 60 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162579 - 89
Fabrikantnummer: IRFD014PBF |  EAN: 2050000042379
€ 1,34
Je bespaart € 0,37
€ 0,97
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRFD014PBF
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
1.7 A
UBR DSS
60 V
Ptot
1.3 W
R(DS)(on)
200 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
1 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
11 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
310 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
60 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRFD 014
Behuizing
HD‑1
ID
1.7 A
Beschrijving
60 V/1,7 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
60 V

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, IRFD014PBF, fieldeffect-transistor, mos-fet
Accessoires voordelig meebestellen