JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET Infineon Technologies IRFB4127PBF Soort behuizing TO-220AB

Infineon Technologies
Bestnr.: 564026 - 89
Fabrikantnummer: IRFB4127PBF |  EAN: 2050003203159
Afbeelding kan afwijken

MOSFET

Productspecificaties

Type
IRFB4127PBF
Behuizingssoort
TO‑220AB
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
76 A
UBR DSS
200 V
Ptot
375 W
R(DS)(on)
20 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
44 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
150 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
5380 pF
C(ISS) referentiespanning
50 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
200 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRFB4127PBF
Behuizing
TO‑220AB

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, IRFB4127PBF-ND, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, IRFB4127PBF, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen