JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET/FETKY) Infineon Technologies IRF2807Z N-kanaal Soort behuizing TO-220AB I(D) 89 A U(DS) 75 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 164337 - 89
Fabrikantnummer: IRF2807Z |  EAN: 2050000052941
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET (HEXFET/FETKY) Infineon Technologies IRF2807Z N-kanaal Soort behuizing TO-220AB I(D) 89 A U(DS) 75 V
€ 2,05
(U bespaart € 0,59)
€ 1,46
incl. btw, excl. verzendkosten
Aantal in stuk Prijs Besparing
1 € 1,46 --
200 € 1,35 8% = € 22,00
400 € 1,24 15% = € 88,00
700 € 1,13 23% = € 231,00
1.000 € 1,02 30% = € 440,00
Op voorraad
  • Type: IRF2807Z
  • Behuizingssoort: TO-220AB
  • Fabrikant: Infineon Technologies
  • Fabrikantcode: INF
  • Uitvoering: N-kanaal

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF2807Z
Behuizingssoort
TO-220AB
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
75 A
UBR DSS
75 V
Ptot
170 W
R(DS)(on)
9.4 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
53 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
110 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
3270 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
75 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N-kanaal
Type
IRF2807Z
Beschrijving
75 V/89 A
ID
89 A
UDS
75 V
Behuizing
TO-220AB

Downloads

Vergelijkbare producten