JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Mosfet (Hexfet/Fetky) Infineon Technologies IRF 3710 S N-kanaal I(D) 57 A U(DS) 100 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162398 - 89
Fabrikantnummer: IRF3710SPBF |  EAN: 2050000040917
Afbeelding kan afwijken
€ 1,19
Je bespaart € 0,08
€ 1,11
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Mosfet (Hexfet/Fetky)

Productspecificaties

Type
IRF3710S HEXFET D2PAK
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
57 A
UBR DSS
100 V
Ptot
200 W
R(DS)(on)
23 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
28 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
130 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
3130 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Type
IRF 3710 S
ID
57 A
Beschrijving
100 V/57 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
100 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, IRF3710SPBF, Feldeffect-transistor, IRF3710S HEXFET D2PAK, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen