JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET/FETKY) Infineon Technologies IRF 1010 E N-Channel U(DS) 60 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162358 - 89
Fabrikantnummer: IRF1010E |  EAN: 2050000040597
  • Afbeelding kan afwijken
  • MOSFET (HEXFET/FETKY) Infineon Technologies IRF 1010 E N-Channel U(DS) 60 V
€ 1,66
incl. btw, excl. verzendkosten
Aantal in stuk Prijs Besparing
1 € 1,66 --
200 € 1,61 3% = € 10,00
450 € 1,56 6% = € 45,00
800 € 1,49 10% = € 136,00
Op voorraad
  • Type: IRF1010E
  • Behuizingssoort: TO-220
  • Fabrikant: Infineon Technologies
  • Fabrikantcode: INF
  • Uitvoering: N-kanaal

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF1010E
Behuizingssoort
TO-220
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
84 A
UBR DSS
60 V
Ptot
200 W
R(DS)(on)
12 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
50 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
130 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
3210 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
60 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N-Channel
Type
IRF 1010 E
Beschrijving
60 V/81 A
UDS
60 V

Downloads

Vergelijkbare producten