JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET) Vishay IRFB11N50APBF N-kanaal Soort behuizing TO-220 U(DS) 500 V

Vishay
Bestnr.: 162553 - 89
Fabrikantnummer: IRFB11N50APBF |  EAN: 2050000042126
Afbeelding kan afwijken
€ 1,99
Je bespaart € 0,03
€ 1,96
incl. btw, excl. verzendkosten
Leverbaar in ca. 6-7 dagen

MOSFET (HEXFET)

Productspecificaties

Type
IRFB11N50APBF
Behuizingssoort
TO‑220
Fabrikant
Vishay
VIS
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
11 A
UBR DSS
500 V
Ptot
170 W
R(DS)(on)
520 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
6.6 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
52 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
1423 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
500 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Type
IRFB11N50APBF
Behuizing
TO‑220
Beschrijving
500 V/11 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
500 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Vishay, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, IRFB11N50APBF, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten