JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Mosfet (hexfet / fetky) Infineon Technologies N-kanaal I(D) 51 A U(DS) 100 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162653 - 89
Fabrikantnummer: IRFP3710PBF |  EAN: 2050000042997
Afbeelding kan afwijken
€ 3,37
U bespaart € 1,35
€ 2,02
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Mosfet (hexfet / fetky)

Productspecificaties

Type
IRFP3710PBF
Behuizingssoort
TO‑247‑3
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
57 A
UBR DSS
100 V
Ptot
200 W
R(DS)(on)
25 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
28 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
190 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
3000 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
100 V
Beschrijving
100 V/51 A
ID
51 A

Download

Specificaties

Highlights & Details

Beschrijving

MOSFET-transistoren zijn spanninggestuurde componenten die rechtstreeks op bronnen met een hoge weerstand kunnen worden aangesloten. Zij zijn daardoor uitermate geschikt voor de toepassing als schakelaar of analoge versterker. Deze unipolaire transistoren zijn µC-, TTL- en CMOS-compatibel. MOSMerken: SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, IRFP3710PBF, drain, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor