JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET / FETKY) Infineon Technologies N-kanaal I(D) 30 A U(DS) 200 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162642 - 89
Fabrikantnummer: IRFP250NPBF |  EAN: 2050000042904
Afbeelding kan afwijken
€ 3,82
Je bespaart € 2,40
€ 1,42
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET / FETKY)

Productspecificaties

Type
IRFP 250N
Behuizingssoort
TO‑247
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
30 A
UBR DSS
200 V
Ptot
214 W
R(DS)(on)
75 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
18 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
123 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
2159 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
200 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
ID
30 A
Beschrijving
200 V / 30 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
200 V

Download

Specificaties

Beschrijving

MOSFET-transistoren zijn spanninggestuurde componenten die rechtstreeks op bronnen met een hoge weerstand kunnen worden aangesloten. Zij zijn daardoor uitermate geschikt voor de toepassing als schakelaar of analoge versterker. Deze unipolaire transistoren zijn µC-, TTL- en CMOS-compatibel. Merken: SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, IRFP 250N, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, IRFP250NPBF, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet