JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET / FETKY) Infineon Technologies N-kanaal I(D) 162 A U(DS) 40 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162372 - 89
Fabrikantnummer: IRF1404PBF |  EAN: 2050000040719
Afbeelding kan afwijken
€ 1,69
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET / FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF1404
Behuizingssoort
TO‑220AB
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
202 A
UBR DSS
40 V
Ptot
333 W
R(DS)(on)
4 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
121 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
196 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
5669 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
40 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
ID
162 A
Beschrijving
40 V/162 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
40 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, IRF1404PBF, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, IRF1404, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten