JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

MOSFET (HEXFET / FETKY) Infineon Technologies N-kanaal I(D) 12 A U(DS) 20 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 162484 - 89
Fabrikantnummer: IRF7459 |  EAN: 2050000041709
Afbeelding kan afwijken
€ 1,64
Je bespaart € 0,49
€ 1,15
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

MOSFET (HEXFET / FETKY)

Productspecificaties

Type
IRF7459 HEXFET SO‑8
Behuizingssoort
SO‑8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
12 A
UBR DSS
20 V
Ptot
2.5 W
R(DS)(on)
9 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
12 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
35 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
2480 pF
C(ISS) referentiespanning
10 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
20 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
ID
12 A
Beschrijving
20 V/12 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
20 V

Download

Specificaties

Highlights & Details

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, IRF7459, IRF7459 HEXFET SO-8, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Vergelijkbare producten
Accessoires voordelig meebestellen