JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Vermogentransistor Infineon Technologies BUZ 81 N-kanaal U(DS) 800 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 153623 - 89
Fabrikantnummer: BUZ81 |  EAN: 2050000023798
Afbeelding kan afwijken
€ 5,51
Je bespaart € 1,95
€ 3,56
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Vermogentransistor

Productspecificaties

Type
BUZ 81
Behuizingssoort
TO‑220AB
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
4 A
UBR DSS
800 V
Ptot
125 W
R(DS)(on)
2.5 Ω
R(DS)(on) referentiestroom
2.8 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
C(ISS)
1350 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
U(DSS)
800 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Beschikbaar in PCB
Target 3001!
Type
BUZ 81
UDS
800 V
Uitvoering
N‑kanaal

Download

Specificaties

Highlights & Details

Beschrijving

N-kanaal enhancement-type
Klanten hadden ook interesse voor
BUZ81, transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, BUZ 81, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet