JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Unipolaire transistor (MOSFET) Infineon Technologies IRLS4030-7PPBF N-kanaal Soort behuizing D2PAK-7pin I(D) 190 A U(DS) 100 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 161222 - 89
Fabrikantnummer: IRLS4030-7PPBF |  EAN: 2050001542588
Afbeelding kan afwijken
€ 5,74
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Unipolaire transistor (MOSFET)

Productspecificaties

Type
IRLS4030‑7PPBF
Behuizingssoort
D2PAK‑7pin
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
190 A
UBR DSS
100 V
Ptot
370 W
R(DS)(on)
3.9 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
110 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2.5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
140 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
11490 pF
C(ISS) referentiespanning
50 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
100 V
Type
IRLS4030‑7PPBF
RDS(on)
3.9 mΩ
ID
190 A
Behuizing
D2PAK‑7pin

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
IRLS4030-7PPBF, transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, drain, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Accessoires voordelig meebestellen