JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Unipolaire transistor (MOSFET) Infineon Technologies IRLR3717PBF N-kanaal Soort behuizing DPAK I(D) 120 A U(DS) 20 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 161206 - 89
Fabrikantnummer: IRLR3717PBF |  EAN: 2050001542441
  • Afbeelding kan afwijken
  • Unipolaire transistor (MOSFET) Infineon Technologies IRLR3717PBF N-kanaal Soort behuizing DPAK I(D) 120 A U(DS) 20 V
€ 1,31
(U bespaart € 0,70)
€ 0,61
incl. btw, excl. verzendkosten
Aantal in stuk Prijs Besparing
1 € 0,61 --
600 € 0,59 3% = € 12,00
1.250 € 0,57 7% = € 50,00
2.250 € 0,54 11% = € 157,50
Op voorraad
  • Type: IRLR3717PBF
  • Behuizingssoort: DPAK
  • Fabrikant: Infineon Technologies
  • Fabrikantcode: INF
  • Uitvoering: N-kanaal

Unipolaire transistor (MOSFET)

Productspecificaties

Type
IRLR3717PBF
Behuizingssoort
DPAK
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
120 A
UBR DSS
20 V
Ptot
89 W
R(DS)(on)
4 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
15 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2.45 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
31 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
2830 pF
C(ISS) referentiespanning
10 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
20 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N-kanaal
Type
IRLR3717PBF
ID
120 A
UDS
20 V
Behuizing
DPAK
RDS(on)
4.2 mΩ

Downloads