JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Unipolaire transistor (MOSFET) Infineon Technologies IRLR3717PBF N-kanaal Soort behuizing DPAK I(D) 120 A U(DS) 20 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 161206 - 89
Fabrikantnummer: IRLR3717PBF |  EAN: 2050001542441
Afbeelding kan afwijken
€ 1,22
Je bespaart € 0,61
€ 0,61
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Unipolaire transistor (MOSFET)

Productspecificaties

Type
IRLR3717PBF
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
120 A
UBR DSS
20 V
Ptot
89 W
R(DS)(on)
4 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
15 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2.45 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
31 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
2830 pF
C(ISS) referentiespanning
10 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
20 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRLR3717PBF
Behuizing
DPAK
ID
120 A
RDS(on)
4.2 mΩ
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
20 V

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, IRLR3717PBF, metaal oxide semiconductor, IRLR3717PBF-ND, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Accessoires voordelig meebestellen