JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Unipolaire transistor (MOSFET) Infineon Technologies IRLHS6342TR2PBF N-kanaal Soort behuizing PQFN 2x2 I(D) 8.5 A U(DS) 30 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 161177 - 89
Fabrikantnummer: IRLHS6342TR2PBF |  EAN: 2050001542199
Afbeelding kan afwijken
€ 0,67
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Unipolaire transistor (MOSFET)

Productspecificaties

Type
IRLHS6342TR2PBF
Behuizingssoort
PQFN 2x2
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
8.7 A
19 A
UBR DSS
30 V
Ptot
2.1 W
R(DS)(on)
15.5 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
8.5 A
R(DS)(on) referentiespanning
4.5 V
U(GS)(th) max.
1.1 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
10 µA
Q(G)
11 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
1019 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
30 V
Type
IRLHS6342TR2PBF
ID
8.5 A
Behuizing
PQFN 2x2

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, IRLHS6342TR2PBF, drain, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Accessoires voordelig meebestellen