JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Unipolaire transistor (MOSFET) Infineon Technologies IRLH5030TR2PBF N-kanaal Soort behuizing PQFN 5x6 I(D) 100 A U(DS) 100 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 161169 - 89
Fabrikantnummer: IRLH5030TR2PBF |  EAN: 2050001542113
Afbeelding kan afwijken
€ 2,35
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Unipolaire transistor (MOSFET)

Productspecificaties

Type
IRLH5030TR2PBF
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
13 A
100 A
UBR DSS
100 V
Ptot
3.6 W
R(DS)(on)
9 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
50 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2.5 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
150 µA
Q(G)
94 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
5185 pF
C(ISS) referentiespanning
50 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRLH5030TR2PBF
Behuizing
PQFN 5x6
ID
100 A
RDS(on)
9.0 mΩ
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
100 V

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, IRLH5030TR2PBF, MOSFET, drain, FET, gate, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Accessoires voordelig meebestellen