JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Unipolaire transistor (MOSFET) Infineon Technologies IRL8113SPBF N-kanaal Soort behuizing D2PAK I(D) 105 A U(DS) 30 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 161161 - 89
Fabrikantnummer: IRL8113SPBF |  EAN: 2050001542038
Afbeelding kan afwijken
€ 1,90
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Unipolaire transistor (MOSFET)

Productspecificaties

Type
IRL8113SPBF
Behuizingssoort
D2PAK
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
105 A
UBR DSS
30 V
Ptot
110 W
R(DS)(on)
6 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
21 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
2.25 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
35 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
2840 pF
C(ISS) referentiespanning
15 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
30 V
Type
IRL8113SPBF
RDS(on)
6.0 mΩ
ID
105 A
Behuizing
D2PAK

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, IRL8113SPBF, source, Infineon Technologies, drain, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Accessoires voordelig meebestellen