JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Unipolaire transistor (MOSFET) Infineon Technologies IRL6372PBF N-kanaal Soort behuizing SO 8 I(D) 8.1 A U(DS) 30 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 161157 - 89
Fabrikantnummer: IRL6372PBF |  EAN: 2050001542007
Afbeelding kan afwijken
€ 1,35
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Unipolaire transistor (MOSFET)

Productspecificaties

Type
IRL6372PBF
Behuizingssoort
SO‑8
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
8.1 A
UBR DSS
30 V
Ptot
2 W
R(DS)(on)
17.9 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
8.1 A
R(DS)(on) referentiespanning
4.5 V
U(GS)(th) max.
1.1 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
10 µA
Q(G)
11 C
Q(G) referentiespanning
4.5 V
C(ISS)
1020 pF
C(ISS) referentiespanning
25 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+150 °C
Bijzonderheden
Logic Level Gate
U(DSS)
30 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Type
IRL6372PBF
Behuizing
SO 8
ID
8.1 A
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
30 V

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, MOSFET, drain, FET, gate, IRL6372PBF, unipoliare transistor, source, metaal oxide semiconductor, Infineon Technologies, fieldeffect-transistor, mos-fet
Accessoires voordelig meebestellen