JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Unipolaire transistor (MOSFET) Infineon Technologies IRFU1018EPBF N-kanaal Soort behuizing I-PAK I(D) 77 A U(DS) 60 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 161119 - 89
Fabrikantnummer: IRFU1018EPBF |  EAN: 2050001541680
Afbeelding kan afwijken
€ 1,85
U bespaart € 1,09
€ 0,76
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Unipolaire transistor (MOSFET)

Productspecificaties

Type
IRFU1018EPBF
Behuizingssoort
I‑PAK
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
56 A
UBR DSS
60 V
Ptot
110 W
R(DS)(on)
8.4 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
47 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
100 µA
Q(G)
69 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
2290 pF
C(ISS) referentiespanning
50 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Doorvoergat
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
60 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
60 V
Type
IRFU1018EPBF
RDS(on)
8.4 mΩ
ID
77 A
Behuizing
I‑PAK

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, IRFU1018EPBF, fieldeffect-transistor, mos-fet, source, Infineon Technologies, drain, FET, Feldeffect-transistor, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Accessoires voordelig meebestellen