JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Unipolaire transistor (MOSFET) Infineon Technologies IRFS4010PBF N-kanaal Soort behuizing D2PAK I(D) 180 A U(DS) 100 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 161106 - 89
Fabrikantnummer: IRFS4010PBF |  EAN: 2050001541550
  • Afbeelding kan afwijken
  • Unipolaire transistor (MOSFET) Infineon Technologies IRFS4010PBF N-kanaal Soort behuizing D2PAK I(D) 180 A U(DS) 100 V
€ 4,34
(U bespaart € 0,28)
€ 4,06
incl. btw, excl. verzendkosten
Aantal in stuk Prijs Besparing
1 € 4,06 --
50 € 3,93 3% = € 6,50
110 € 3,72 8% = € 37,40
200 € 3,52 13% = € 108,00
300 € 3,30 19% = € 228,00
Op voorraad
  • Type: IRFS4010PBF
  • Behuizingssoort: D2PAK
  • Fabrikant: Infineon Technologies
  • Fabrikantcode: INF
  • Uitvoering: N-kanaal

Unipolaire transistor (MOSFET)

Productspecificaties

Type
IRFS4010PBF
Behuizingssoort
D2PAK
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N-kanaal
I(d)
180 A
UBR DSS
100 V
Ptot
375 W
R(DS)(on)
4.7 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
106 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
215 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
9575 pF
C(ISS) referentiespanning
50 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
-55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N-kanaal
Type
IRFS4010PBF
ID
180 A
UDS
100 V
Behuizing
D2PAK
RDS(on)
4.7 mΩ

Downloads