JavaScript is niet actief in uw browser. Hierdoor mist u handige zaken, zoals onze uitgebreide zoekfunctie en reviews.
{{#unless user.loggedIn}} {{#xif " digitalData.page.category.pageType !== 'checkout_confirmation' " }}
{{/xif}} {{/unless}}

Unipolaire transistor (MOSFET) Infineon Technologies IRFS4010PBF N-kanaal Soort behuizing D2PAK I(D) 180 A U(DS) 100 V

Infineon Technologies
Bestnr.: 161106 - 89
Fabrikantnummer: IRFS4010PBF |  EAN: 2050001541550
Afbeelding kan afwijken
€ 4,34
U bespaart € 0,28
€ 4,06
incl. btw, excl. verzendkosten
Op voorraad

Unipolaire transistor (MOSFET)

Productspecificaties

Type
IRFS4010PBF
Behuizingssoort
D2PAK
Fabrikant
Infineon Technologies
INF
Uitvoering
N‑kanaal
I(d)
180 A
UBR DSS
100 V
Ptot
375 W
R(DS)(on)
4.7 mΩ
R(DS)(on) referentiestroom
106 A
R(DS)(on) referentiespanning
10 V
U(GS)(th) max.
4 V
U(GS)(th) referentiestroom (max.)
250 µA
Q(G)
215 C
Q(G) referentiespanning
10 V
C(ISS)
9575 pF
C(ISS) referentiespanning
50 V
Bedrijfstemperatuur (min.)
‑55 °C
Montagewijze
Oppervlakmontage
Bedrijfstemperatuur (max.)
+175 °C
Serie (halfgeleiders)
HEXFET®
Bijzonderheden
Standaard
U(DSS)
100 V
Categorie
MOSFET
Kanalen
1
Uitvoering
N‑kanaal
UDS
100 V
Type
IRFS4010PBF
RDS(on)
4.7 mΩ
ID
180 A
Behuizing
D2PAK

Download

Specificaties

Klanten hadden ook interesse voor
transistor MOS, MOSFET, fieldeffect-transistor, mos-fet, IRFS4010PBF, source, Infineon Technologies, drain, FET, Feldeffect-transistor, IRFS4010PBF-ND, field-effect transistor, gate, unipoliare transistor, metaal oxide semiconductor
Accessoires voordelig meebestellen